ОКС Общероссийский классификатор стандартов 31 ЭЛЕКТРОНИКА 31.080 Полупроводниковые приборыПолупроводниковые приборы
Полупроводниковые материалы см.: 29.045 Подкатегории категории Полупроводниковые приборы:
Полупроводниковые приборы в целом Диоды Тиристоры Транзисторы Полупроводниковые приборы прочие | ГОСТ 14343-69 Диоды полупроводниковые типов Д223, Д223А, Д223Б для устройств широкого применения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: отменён |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: | Страниц: 0 |
| ГОСТ 14949-69 Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: отменён |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: | Страниц: 0 |
| ГОСТ 15606-70 Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: отменён |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: | Страниц: 0 |
| ГОСТ 16947-71 Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: отменён |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: | Страниц: 0 |
| ГОСТ 15172-70 Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1970 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1973 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1974 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1974 | Страниц: 16 |
| ГОСТ 18986.17-73 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1974 | Страниц: 5 |
| ГОСТ 18986.18-73 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1974 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 18986.3-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 10 |
| ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.5-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.7-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.6-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 26 |
| ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 18986.4-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 7 |
