Нормативные документы размещены исключительно с целью ознакомления учащихся ВУЗов, техникумов и училищ.
  ОКС Общероссийский классификатор стандартов
  31 ЭЛЕКТРОНИКА
  31.080 Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые материалы см.: 29.045
Искать в Полупроводниковые приборы
Искать!
Подкатегории категории Полупроводниковые приборы:
Полупроводниковые приборы в целом
Диоды
Тиристоры
Транзисторы
Полупроводниковые приборы прочие

Содержит 134 документов
Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 »

ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 11
ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 7
ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 3
ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 2
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 7
ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 14
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 4
ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1982Страниц: 11
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1984Страниц: 28
ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1984Страниц: 17
ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1984Страниц: 37
ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1984Страниц: 6
ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1984Страниц: 3
ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1984Страниц: 7
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1985Страниц: 29
ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1985Страниц: 43
ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1985Страниц: 8
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1986Страниц: 23
ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1986Страниц: 23
ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1986Страниц: 11
Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 »
2010-2013. ГОСТы, СНиПы, СанПиНы - Государственный стандарты. скачатьПолупроводниковые приборы, ЭЛЕКТРОНИКА, Общероссийский классификатор стандартов,