Нормативные документы размещены исключительно с целью ознакомления учащихся ВУЗов, техникумов и училищ.
   ОКП
  630000 ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, КРОМЕ РЕЗИСТОРОВ И КОНДЕНСАТОРОВ
  634000 Приборы электронные, кроме микросхем интегральных и приборов пьезоэлектрических

Приборы электронные, кроме микросхем интегральных и приборов пьезоэлектрических

Искать в Приборы электронные, кроме микросхем интегральных и приборов пьезоэлектрических
Искать!
Подкатегории категории Приборы электронные, кроме микросхем интегральных и приборов пьезоэлектрических:
Диоды полупроводниковые <*>
Транзисторы <*>
Тиристоры <*>
Приемно-усилительные лампы <*>
Кинескопы всех видов <*>
Оптоэлектронные элементы полупроводниковые <*>
Приборы полупроводниковые
Изделия квантовой электроники
Приборы электровакуумные, кроме приборов электровакуумных СВЧ
Приборы электровакуумные СВЧ
Блоки и модули полупроводниковые СВЧ
Приборы ферритовые СВЧ
Приборы электронные разные

Содержит 272 документов
Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

ГОСТ 18986.23-80 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 12
ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 15
ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 13
ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 14
ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 11
ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 7
ГОСТ 24458-80 Оптопары полупроводниковые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 3
ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1981Страниц: 10
ГОСТ 19438.0-80 Лампы электронные маломощные. Методы измерения параметров. Общие положения
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1981Страниц: 17
ГОСТ 19438.21-79 Лампы электронные маломощные для выходных каскадов блоков строчной развертки телевизионных приемников. Методы измерения электрических параметров и испытания на долговечность
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1981Страниц: 19
ГОСТ 21106.14-78 Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие мощностью, рассеиваемой анодом, свыше 25 Вт. Методы измерения напряжений запирания, смещения, крутизны характеристики, коэффициента усиления
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1981Страниц: 12
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1981Страниц: 6
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1981Страниц: 18
ГОСТ 21106.15-79 Лампы модуляторные импульсные мощностью, рассеиваемой анодом, свыше 25 Вт. Метод контроля времени готовности
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1980Страниц: 6
ГОСТ 19438.20-79 Лампы электронные маломощные. Метод измерения температуры баллона
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1980Страниц: 8
ГОСТ 21106.13-78 Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие мощностью, рассеиваемой анодом, свыше 25 Вт. Методы измерения статических междуэлектродных емкостей
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1980Страниц: 8
ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 6
ГОСТ 23449-79 Источники высокоинтенсивного оптического излучения газоразрядные импульсные шаровые. Конструкция и основные размеры
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 5
ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 8
ГОСТ 23197-78 Камеры рентгеновские бетатронные. Общие технические условия
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 22
Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »
2010-2013. ГОСТы, СНиПы, СанПиНы - Государственный стандарты. скачатьПриборы электронные, кроме микросхем интегральных и приборов пьезоэлектрических, ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, КРОМЕ РЕЗИСТОРОВ И КОНДЕНСАТОРОВ, ОКП,