Нормативные документы размещены исключительно с целью ознакомления учащихся ВУЗов, техникумов и училищ.
   ОКП
  630000 ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, КРОМЕ РЕЗИСТОРОВ И КОНДЕНСАТОРОВ
  634000 Приборы электронные, кроме микросхем интегральных и приборов пьезоэлектрических
  634100 Приборы полупроводниковые

Приборы полупроводниковые

Искать в Приборы полупроводниковые
Искать!

Содержит 75 документов
Страницы: « 1 2 3 4 »

ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1987Страниц: 11
ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1986Страниц: 11
ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1982Страниц: 11
ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 11
ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1979Страниц: 11
ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1975Страниц: 10
ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1981Страниц: 10
ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1975Страниц: 9
ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 8
ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1976Страниц: 8
ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1976Страниц: 8
ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1976Страниц: 7
ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1975Страниц: 7
ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1987Страниц: 7
ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1984Страниц: 7
ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 7
ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 7
ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1978Страниц: 7
ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.07.1976Страниц: 7
ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления
Дата актуализации текста: 19.03.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 19.03.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1978Страниц: 7
Страницы: « 1 2 3 4 »
2010-2013. ГОСТы, СНиПы, СанПиНы - Государственный стандарты. скачатьПриборы полупроводниковые, Приборы электронные, кроме микросхем интегральных и приборов пьезоэлектрических, ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, КРОМЕ РЕЗИСТОРОВ И КОНДЕНСАТОРОВ, ОКП,