ОКС Общероссийский классификатор стандартов 31 ЭЛЕКТРОНИКАЭЛЕКТРОНИКА
Подкатегории категории ЭЛЕКТРОНИКА:
Электронные компоненты в целом (Магнитные компоненты см.: 29.100.10) Резисторы Конденсаторы Полупроводниковые приборы (Полупроводниковые материалы см.: 29.045) Электронные лампы Электронные дисплеи (Включая дисплеи на жидких кристаллах) Пьезоэлектрические и диэлектрические приборы Электрические фильтры Печатные схемы и платы Электронные компоненты в сборе (Включая предварительно собранные модули) Интегральные схемы. Микроэлектроника (Включая электронные микросхемы, логические и аналоговые микроструктуры ;Микропроцессоры см.: 35.160) Электромеханические компоненты электронного оборудования и телекоммуникационного оборудования Механические конструкции электронного оборудования Оптоэлектроника. Лазерное оборудование (Включая фотоэлементы)| ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1976 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.12-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1976 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 14343-69 Диоды полупроводниковые типов Д223, Д223А, Д223Б для устройств широкого применения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: отменён |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: | Страниц: 0 |
| ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1986 | Страниц: 23 |
| ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1977 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 10 |
| ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 18 |
| ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1987 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1979 | Страниц: 16 |
| ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1986 | Страниц: 23 |
| ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1989 | Страниц: 25 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
