ОКС Общероссийский классификатор стандартов 31 ЭЛЕКТРОНИКА 31.080 Полупроводниковые приборыПолупроводниковые приборы
Полупроводниковые материалы см.: 29.045 Подкатегории категории Полупроводниковые приборы:
Полупроводниковые приборы в целом Диоды Тиристоры Транзисторы Полупроводниковые приборы прочие | ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 10 |
| ГОСТ 18986.18-73 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1974 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупрводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1974 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1981 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1989 | Страниц: 25 |
| ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1986 | Страниц: 23 |
| ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1979 | Страниц: 16 |
| ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1987 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 18 |
| ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 10 |
| ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1977 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1975 | Страниц: 9 |
