ОКС Общероссийский классификатор стандартов 31 ЭЛЕКТРОНИКА 31.080 Полупроводниковые приборыПолупроводниковые приборы
Полупроводниковые материалы см.: 29.045 Подкатегории категории Полупроводниковые приборы:
Полупроводниковые приборы в целом Диоды Тиристоры Транзисторы Полупроводниковые приборы прочие Отобразить только:
все найденные
действующие
заменённые
отменённые
принятые
утратили силу в РФ
С истекшим сроком
действующие только в РФ
все найденные
действующие
заменённые
отменённые
принятые
утратили силу в РФ
С истекшим сроком
действующие только в РФ
| ГОСТ 28167-89 Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1991 | Страниц: 27 |
| ГОСТ 30617-98 Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.2002 | Страниц: 39 |
| ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1989 | Страниц: 6 |
| ГОСТ Р 54815-2011 Лампы светодиодные со встроенным устройством управления для общего освещения на напряжения свыше 50 В. Эксплуатационные требования | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.2012 | Страниц: 16 |
| ГОСТ 24376-91 Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1992 | Страниц: 30 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1976 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1976 | Страниц: 10 |
| ГОСТ Р 50471-93 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения угла излучения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1994 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1977 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1974 | Страниц: 16 |
| ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1984 | Страниц: 28 |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 14 |
| ГОСТ 18986.7-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 18986.0-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1976 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1985 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1976 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 18986.4-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1986 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1984 | Страниц: 3 |
